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STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RDH6TR图片预览
型号: STM32F103RDH6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
C
杂散
是引脚电容和电路板或走线PCB相关的电容。通常情况下,它是
在2 pF和7 pF的。
注意事项:
以避免超过C的最大值
L1
和C
L2
( 15 pF)的强烈推荐
要使用的谐振器与负载电容C
L
7 pF的。切勿使用谐振器的负载
12.5 pF的电容。
例如:
如果您选择用C的负载电容的谐振器
L
= 6 pF的,和C
杂散
= 2 pF的,
那么C
L1
= C
L2
= 8 pF的。
图23.典型应用有一个32.768 kHz晶振
谐振器
整合电容器
CL1
OSC32_IN
32.768的kH ž
谐振器
CL2
RF
OSC32_OU牛逼
BIAS
控制
收益
STM32F103xx
FLSE
ai14146
5.3.7
内部时钟源的特性
在给定的参数
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
高速内部( HSI ) RC振荡器
表25 。
符号
f
恒指
HSI振荡器的特性
(1)
参数
频率
用户镶着的RCC_CR
注册
(2)
条件
典型值
8
1
(3)
–2
–1.5
–1.3
–1.1
1
80
2.5
2.2
2
1.8
2
100
最大
单位
兆赫
%
%
%
%
%
µs
µA
恒指
恒指精度
振荡器
出厂
CALIBRATED
(4)
T
A
= -40至105℃
T
A
= -10 〜85 ℃下
T
A
= 0至70℃
T
A
= 25 °C
t
su(HSI)(4)
I
DD(HSI)(4)
HSI振荡器
启动时间
HSI振荡器电源
消费
1. V
DD
= 3.3 V ,T
A
= -40至105℃,除非另有规定。
2.请参阅应用笔记AN2868 “ STM32F10xxx的内部RC振荡器( HSI)校准”,可从
在ST网站www.st.com 。
3.由设计保证,而不是在生产测试。
4.基于特征,而不是在生产测试。
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文档ID 14611第七版