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STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103RDH6TR图片预览
型号: STM32F103RDH6TR
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内容描述: 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有256至512KB闪存, USB , CAN ,11个定时器, 3的ADC ,13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 123 页 / 1691 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
电气特性
相同的大小。晶体制造商通常指定一个负载电容,它是
的C系列组合
L1
和C
L2
。 PCB和MCU引脚电容必须包含( 10 pF的
当调整,可作为组合的销和板的电容)的粗略估计
C
L1
和C
L2
。请参考应用笔记AN2867 “振荡器设计指南ST
微控制器“可从ST网站www.st.com 。
图22.典型应用有一个8 MHz晶振
谐振器
整合电容器
CL1
OSC_IN
8 MH ž
谐振器
REXT(1)
OSC_OU牛逼
RF
BIAS
控制
收益
STM32F103xx
ai14145
fHSE
CL2
1. R
EXT
价值取决于晶体的特性。
从晶体/陶瓷谐振器低速外部时钟产生
低速外部( LSE)时钟32.768 kHz晶振/陶瓷供应
谐振器振荡器。所有在本段中给出的信息是基于特性
在规定的典型的外部元件获得的结果
在应用程序中,
谐振器和负载电容器已被放置在尽可能靠近到振荡器
为了引脚以减少输出失真和启动稳定时间。参考晶体
谐振器厂商的谐振特性的详细信息(频率,
封装,精度) 。
表24中。
符号
R
F
C
(2)
I
2
g
m
LSE振荡器的特性(F
LSE
= 32.768千赫)
(1)
参数
反馈电阻
推荐负载电容
与等效串联
该晶体的电阻(R
S
)
(3)
LSE驱动电流
振荡器的跨导
V
DD
稳定
R
S
= 30 k
V
DD
= 3.3 V, V
IN
= V
SS
5
3
条件
典型值
5
15
1.4
最大
单位
M
pF
µA
μA / V
s
t
SU(LSE)(4)
启动时间
1.基于特征,而不是在生产测试。
2.请参考说明和提醒下表段落和应用笔记AN2867 “振荡器
设计指南ST微控制器“ 。
3.振荡器选择可以在电源电流方面采用了高品质的谐振器进行优化
小ř
S
值,例如MSIV - TIN32.768kHz 。请参考水晶制造商了解更多详细信息
4.
t
SU ( LSE )
从它被使能(通过软件)的时刻所测量的启动时间,以稳定化的
32.768 kHz的振荡为止。此值被测量为一个标准的晶体谐振器,它可以改变
与晶体制造商显著
注意:
对于C
L1
和C
L2
时,建议在5 pF的使用优质陶瓷电容
选择相匹配的晶体或谐振器的要求, 15 pF范围内(见
C
L1
和C
L2,
通常是相同的大小。晶体制造商通常指定一个负载
电容为C的串联组合
L1
和C
L2
.
负载电容C
L
具有以下通式:C
L
=
C
L1
x
C
L2
/ (C
L1
+
C
L2
) + C
杂散
哪里
文档ID 14611第七版
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