电气特性
STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
图21.低速外部时钟源AC时序图
VLSEH
90%
VLSEL
10%
TR ( LSE )
TLSE
TF ( LSE )
TW ( LSE )
TW ( LSE )
t
EXTER NAL
时钟源程序ê
fLSE_ext
OSC32_IN
IL
STM32F103xx
ai14144b
从晶体/陶瓷谐振器的高速外部时钟产生
高速外部( HSE )的时钟可以用4至16 MHz晶振/陶瓷供应
谐振器振荡器。所有在本段中给出的信息是基于特性
在规定的典型的外部元件获得的结果
在应用程序中,
谐振器和负载电容器已被放置在尽可能靠近到振荡器
为了引脚以减少输出失真和启动稳定时间。参考晶体
谐振器厂商的谐振特性的详细信息(频率,
封装,精度) 。
表23 。
符号
f
OSC_IN
R
F
C
HSE 4-16 MHz振荡器特性
(1)(2)
参数
振荡器频率
反馈电阻
推荐负载电容
与等效串联
该晶体的电阻(R
S
)
(3)
HSE驱动电流
振荡器的跨导
R
S
= 30
V
DD
= 3.3 V, V
IN
= V
SS
与30 pF负载
启动
V
DD
稳定
25
2
条件
民
4
典型值
8
200
30
最大
16
单位
兆赫
k
pF
i
2
g
m
1
mA
毫安/ V
ms
t
SU(HSE)(4)
启动时间
由晶体/陶瓷谐振器制造商提供1谐振特性。
2.根据鉴定结果,而不是在生产测试。
3.射频电阻相对较低的价值提供了很好的保护,防止因使用中产生的问题
潮湿环境中,因感应泄漏和偏置条件改变。然而,这是
建议采取这点考虑,如果MCU采用的是艰难的湿度条件。
4. t
SU( HSE)
从它被使能(通过软件)的时刻所测量的启动时间,以稳定化的8兆赫
振荡为止。此值被测量为一个标准的晶体谐振器,它可以显著变化
与晶体制造商
对于C
L1
和C
L2
,建议使用高质量的外部陶瓷电容,在
5 pF至25 pF范围内(典型值) ,专为高频率的应用,并选择相匹配
晶体或谐振器的要求(见
C
L1
和C
L2
通常是
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