电气特性
STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
图24.异步非复用的SRAM / PSRAM / NOR读取波形
t
W（ NE ）
FSMC_NE
t
V（ NOE_NE ）
t
W（ NOE ）
t
H（ NE_NOE ）
FSMC_NOE
FSMC_NWE
t
V（ A_NE ）
FSMC_A [25 ：0]的
地址
t
H（ A_NOE ）
t
V（ BL_NE ）
FSMC_NBL [1 ：0]的
t
H（ BL_NOE ）
t
H（ Data_NE ）
t
SU（ Data_NOE ）
t
SU（ Data_NE ）
t
H（ Data_NOE ）
FSMC_D [15 ：0]的
t
V（ NADV_NE ）
t
W（ NADV ）
数据
FSMC_NADV
(1)
ai14991B
1，模式2 / B ，C和D只。在模式1中， FSMC_NADV不被使用。
表31 。
符号
t
W（ NE ）
t
V（ NOE_NE ）
t
W（ NOE ）
t
H（ NE_NOE ）
t
V（ A_NE ）
t
H（ A_NOE ）
t
V（ BL_NE ）
t
H（ BL_NOE ）
t
SU（ Data_NE ）
t
H（ Data_NOE ）
t
H（ Data_NE ）
t
V（ NADV_NE ）
t
W（ NADV ）
1. C
L
= 15 pF的。
异步非复用SRAM / PSRAM / NOR读取时序
(1) (2)
参数
FSMC_NE低的时间
FSMC_NEx低到FSMC_NOE低
FSMC_NOE低的时间
民
5T
HCLK
– 1.5
0.5
5T
HCLK
– 1.5
最大
5T
HCLK
+ 2
1.5
5T
HCLK
+ 1.5
7
0.1
0
0
2T
HCLK
+ 25
2T
HCLK
+ 25
0
0
5
T
HCLK
+ 1.5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FSMC_NOE高FSMC_NE高保持时间-1.5
FSMC_NEx低到FSMC_A有效
后FSMC_NOE高地址保持时间
FSMC_NEx低到FSMC_BL有效
后FSMC_NOE高FSMC_BL保持时间
数据FSMC_NEx高建立时间
t
SU（ Data_NOE ）
数据FSMC_NOEx高建立时间
数据保持时间后FSMC_NOE高
后FSMC_NEx高数据保持时间
FSMC_NEx低到FSMC_NADV低
FSMC_NADV低的时间
2.基于特征，而不是在生产测试。
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文档ID 14611第七版
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
