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    STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RDH6TR图片预览
    型号： STM32F103RDH6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 123 页 / 1691 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第50页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第51页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第52页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第53页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第55页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第56页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第57页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第58页  
    电气特性
    表20 。
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    外设电流消耗
    (1)
    （续）
    外设
    GPIOA
    GPIOB
    GPIOC
    GPIOD
    GPIOE
    GPIOF
    典型功耗为25℃
    0.55
    0.72
    0.72
    0.55
    1
    0.72
    1
    1.9
    1.7
    1.8
    0.4
    1.7
    0.9
    1.7
    单位
    APB2
    GPIOG
    ADC1
    (2)
    ADC2
    TIM1
    SPI1
    TIM8
    USART1
    ADC3
    mA
    1. f
    HCLK
    = 72兆赫，女
    APB1
    = f
    HCLK
    /2, f
    APB2
    = f
    HCLK
    ，每个外设的默认预分频值。
    对于ADC 2.具体条件：F
    HCLK
    = 56兆赫，女
    APB1
    = f
    HCLK
    /2, f
    APB2
    = f
    HCLK
    , f
    ADCCLK
    = f
    APB2/4
    ， ADON位
    在ADC_CR2寄存器设置为1 。
    5.3.6
    外部时钟源的特性
    从外部源的高速外部用户时钟产生
    在给定的特性
    表21
    使用高速进行的测试结果
    外部时钟源，并在环境温度和电源电压的条件
    在总结
    表10 。
    表21 。
    符号
    f
    HSE_ext
    V
    HSEH
    V
    HSEL
    t
    W（ HSE ）
    t
    W（ HSE ）
    t
    R（ HSE ）
    t
    F（ HSE）的
    C
    在（HSE）
    高速外部用户时钟特性
    参数
    用户外部时钟源
    频率
    (1)
    OSC_IN输入引脚高电平电压
    OSC_IN输入引脚低电平电压
    OSC_IN高或低的时间
    (1)
    OSC_IN上升或下降时间
    (1)
    OSC_IN输入电容
    (1)
    45
    V
    SS
    V
    IN
    V
    DD
    5
    55
    ±1
    条件
    民
    1
    0.7V
    DD
    V
    SS
    16
    ns
    20
    pF
    %
    µA
    典型值
    8
    最大
    25
    V
    DD
    0.3V
    DD
    单位
    兆赫
    V
    DuCy
    （HSE）
    占空比
    I
    L
    OSC_IN输入漏电流
    1.由设计保证，而不是在生产测试。
    54/123
    文档ID 14611第七版

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