欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL128N11TAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11TAIV10图片预览
型号: S29GL128N11TAIV10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第81页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第82页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第83页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第84页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第86页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第87页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第88页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第89页  
D a t a S h e e t  
AC Characteristics  
tRC  
VA  
Addresses  
VA  
VA  
tACC  
tCE  
CE#  
tCH  
tOE  
OE#  
tOEH  
WE#  
tDF  
tOH  
High Z  
High Z  
DQ7  
Valid Data  
Complement  
Complement  
True  
DQ6–DQ0  
Status Data  
True  
Valid Data  
Status Data  
tBUSY  
RY/BY#  
Note:  
1. VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.  
2.  
t
for data polling is 45 ns when V = 1.65 to 2.7 V and is 35 ns when V = 2.7 to 3.6 V  
OE IO IO  
Figure 17. Data# Polling Timings  
(During Embedded Algorithms)  
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006  
S29GL-N MirrorBit™ Flash Family  
83  
 复制成功!