欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL128N11TAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11TAIV10图片预览
型号: S29GL128N11TAIV10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第79页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第80页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第81页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第82页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第84页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第85页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第86页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第87页  
D a t a S h e e t  
AC Characteristics  
Program Command Sequence (last two cycles)  
Read Status Data (last two cycles)  
tAS  
tWC  
Addresses  
555h  
PA  
PA  
PA  
tAH  
CE#  
OE#  
tCH  
tWHWH1  
tWP  
WE#  
Data  
tWPH  
tCS  
tDS  
tDH  
PD  
DOUT  
A0h  
Status  
tBUSY  
tRB  
RY/BY#  
VCC  
tVCS  
Notes:  
1. PA = program address, PD = program data, D  
is the true data at the program address.  
OUT  
2. Illustration shows device in word mode.  
Figure 14. Program Operation Timings  
VHH  
VIL or VIH  
VIL or VIH  
ACC  
tVHH  
tVHH  
Notes:  
1. Not 100% tested.  
2. CE#, OE# = V  
IL  
3. OE# = V  
IL  
4. See Figure 9, on page 75 and Table 17 on page 75 for test specifications.  
Figure 15. Accelerated Program Timing Diagram  
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006  
S29GL-N MirrorBit™ Flash Family  
81  
 复制成功!