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S29GL128N11TAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11TAIV10图片预览

型号：	S29GL128N11TAIV10
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	100 页 / 2678 K
品牌：	SPANSION [ SPANSION ]

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D a t a S h e e t

Test Conditions

3.3 V

2.7 k

Ω

Device

Under

Test

C

L

6.2 kΩ

Note: Diodes are IN3064 or equivalent

Figure 9. Te st S e tup

Table 17. Test Specifications

Test Condition

All Speeds

1 TTL gate

Unit

Output Load

Output Load Capacitance, C_L

(including jig capacitance)

30

pF

Input Rise and Fall Times

Input Pulse Levels

5

ns

V

0.0–V_IO

Input timing measurement reference levels (See

Note)

0.5V_IO

V

V

Output timing measurement reference levels

0.5 V_IO

Note: If V < V , the reference level is 0.5 V .

IO

IO

CC

S29GL-N_00_B3 October 13, 2006

S29GL-N MirrorBit™ Flash Family

75

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