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S29GL128N11TAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11TAIV10图片预览
型号: S29GL128N11TAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D a t a S h e e t  
Test Conditions  
3.3 V  
2.7 k  
Ω
Device  
Under  
Test  
C
L
6.2 kΩ  
Note: Diodes are IN3064 or equivalent  
Figure 9. Te st S e tup  
Table 17. Test Specifications  
Test Condition  
All Speeds  
1 TTL gate  
Unit  
Output Load  
Output Load Capacitance, CL  
(including jig capacitance)  
30  
pF  
Input Rise and Fall Times  
Input Pulse Levels  
5
ns  
V
0.0–VIO  
Input timing measurement reference levels (See  
Note)  
0.5VIO  
V
V
Output timing measurement reference levels  
0.5 VIO  
Note: If V < V , the reference level is 0.5 V .  
IO  
IO  
CC  
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006  
S29GL-N MirrorBit™ Flash Family  
75