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    S29GL128N11TAIV10 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128N11TAIV10图片预览
    型号： S29GL128N11TAIV10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第74页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第75页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第76页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第77页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第79页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第80页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第81页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第82页  
    D a t a S h e e t  
    Key to Switching Waveforms  
    Waveform  
    Inputs  
    Outputs  
    Steady  
    Changing from H to L  
    Changing from L to H  
    Don’t Care, Any Change Permitted  
    Does Not Apply  
    Changing, State Unknown  
    Center Line is High Impedance State (High Z)  
    VIO  
    0.0 V  
    Note: If VIO < VCC, the input measurement reference level is 0.5 VIO  
    0.5 VIO  
    0.5 VIO V  
    Input  
    Measurement Level  
    Output  
    .
    Figure 10. Input Waveforms and  
    Measurement Levels  
    76  
    S29GL-N MirrorBit™ Flash Family  
    S29GL-N_00_B3 October 13, 2006  

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