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LH28F800SUT-70 参数 Datasheet PDF下载

LH28F800SUT-70图片预览
型号: LH28F800SUT-70
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内容描述: 8M ( 512K × 16 , 1M × 8 )快闪记忆体 [8M (512K 】 16, 1M 】 8) Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 38 页 / 327 K
品牌: SHARP [ SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS ]
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8M (512K × 16, 1M × 8) Flash Memory  
LH28F800SU  
56-PIN TSOP  
TOP VIEW  
FEATURES  
User-Configurable x8 or x16 Operation  
WP  
WE  
OE  
56  
55  
54  
1
3/5  
User-Selectable 3.3 V or 5 V V  
CC  
2
CE1  
NC  
3
4
5
6
7
8
9
5 V Write/Erase Operations (5 V V )  
PP  
53  
52  
RY/BY  
DQ15  
DQ7  
NC  
A19  
– No Requirement for DC/DC  
Converter to Write/Erase  
A18  
A17  
51  
50  
70 ns Maximum Access Time  
DQ14  
DQ6  
Minimum 2.7 V Read capability  
A16  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
– 160 ns Maximum Access Time  
GND  
DQ13  
DQ5  
VCC  
10  
11  
12  
13  
14  
(V = 2.7 V)  
A15  
A14  
A13  
A12  
CC  
16 Independently Lockable Blocks  
0.32 MB/sec Write Transfer Rate  
100,000 Erase Cycles per Block  
DQ12  
DQ4  
VCC  
CE0  
VPP  
RP  
A11  
A10  
A9  
15  
16  
17  
18  
GND  
DQ11  
DQ3  
Revolutionary Architecture  
– Pipelined Command Execution  
– Write During Erase  
DQ10  
– Command Superset of  
Sharp LH28F008SA  
19  
20  
21  
DQ2  
VCC  
A8  
GND  
A7  
DQ9  
DQ1  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
5 µA (TYP.) I in CMOS Standby  
CC  
22  
23  
24  
25  
1 µA (TYP.) Deep Power-Down  
A6  
DQ8  
DQ0  
A0  
A5  
State-of-the-Art 0.55 µm ETOX™  
A4  
Flash Technology  
26  
27  
28  
BYTE  
A3  
56-Pin, 1.2 mm × 14 mm × 20 mm  
A2  
30  
29  
NC  
NC  
TSOP (Type I) Package  
A1  
28F800SUR-1  
Figure 1. TSOP Reverse Bend Configuration  
1