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K4S561632E-UC60 参数 Datasheet PDF下载

K4S561632E-UC60图片预览
型号: K4S561632E-UC60
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内容描述: 256Mb的电子芯片SDRAM规格54 TSOP- II与无铅(符合RoHS标准) [256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)]
分类和应用: 电子动态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 200 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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CMOS SDRAM  
SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16)  
Minimum VDD clamp current  
(Referenced to VDD)  
VDD Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ  
VDD (V)  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
2.0  
2.2  
2.4  
2.6  
I (mA)  
0.0  
0.0  
0.0  
0.0  
0.0  
0.0  
0.0  
0.23  
1.34  
3.02  
5.06  
7.35  
9.83  
12.48  
15.30  
18.31  
20  
15  
10  
5
0
0
1
2
3
Voltage  
I (mA)  
Minimum VSS clamp current  
-2 -1  
VSS Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ  
-3  
0
VSS (V)  
-2.6  
-2.4  
-2.2  
-2.0  
-1.8  
-1.6  
-1.4  
-1.2  
-1.0  
-0.9  
-0.8  
-0.7  
-0.6  
-0.4  
-0.2  
0.0  
I (mA)  
-57.23  
-45.77  
-38.26  
-31.22  
-24.58  
-18.37  
-12.56  
-7.57  
-3.37  
-1.75  
-0.58  
-0.05  
0.0  
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
0.0  
0.0  
0.0  
Voltage  
I (mA)  
Rev. 1.3 August 2004  
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