欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    FY4AEJ-03 参数 Datasheet PDF下载

    FY4AEJ-03图片预览
    型号： FY4AEJ-03
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速开关使用N沟道/ P沟道功率MOSFET [HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch/Pch POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 114 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第9页  
    三菱功率MOSFET
    .
    ATION
    NGE 。
    pecific要查
    INAL SE主题
    af
    不限制AR
    这
    otice ：参
    N
    一些
    P
    AR
    IMIN
    REL
    Y
    FY4AEJ-03
    高速开关使用
    N沟道/ P沟道功率MOSFET
    性能曲线（ P沟道）
    功耗降额曲线
    2.0
    最大安全工作区
    –5
    –3
    –2
    TW =
    功耗P
    D
    (W)
    10µs
    100µs
    漏电流I
    D
    (A)
    1.6
    1.2
    –
    10
    1
    –7
    –5
    –3
    –2
    –
    10
    0
    –7
    –5
    –3
    –2
    –
    10
    –1
    –7
    –5
    –3
    1ms
    10ms
    100ms
    T
    C
    = 25°C
    单脉冲
    0.8
    0.4
    DC
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    –
    2
    –
    3
    –
    5
    –
    7
    –10
    0
    –2 –3 –5 –7
    –10
    1
    –2 –3 –5
    漏源电压V
    DS
    (V)
    案例温度T
    C
    (°C)
    输出特性
    （典型值）
    –20
    V
    GS
    =–10V –8V
    P
    D
    = 1.6W
    –6V
    –
    10
    输出特性
    （典型值）
    V
    GS
    = –10V,–8V,–6V,–5V
    P
    D
    = 1.6W
    –4V
    漏电流I
    D
    (A)
    –5V
    TC = 25°C
    脉冲测试
    –4V
    漏电流I
    D
    (A)
    –16
    –
    8
    –12
    –
    6
    TC = 25°C
    脉冲测试
    –3V
    –
    2
    –8
    –
    4
    –4
    –3V
    0
    0
    –0.4
    –0.8
    –1.2
    –1.6
    –2.0
    0
    0
    –0.2
    –0.4
    –0.6
    –0.8
    –1.0
    漏源电压V
    DS
    (V)
    漏源电压V
    DS
    (V)
    导通电压VS.
    栅源电压
    （典型值）
    –2.0
    200
    TC = 25°C
    脉冲测试
    通态电阻VS.
    漏电流
    （典型值）
    V
    GS
    =–4V
    漏极 - 源极导通状态
    电压V
    DS （ ON）
    (V)
    漏极 - 源极导通状态
    电阻R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    –1.6
    160
    –1.2
    120
    TC = 25°C
    脉冲测试
    –0.8
    I
    D
    =–8A
    80
    –0.4
    –4A
    –2A
    40
    –10V
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    0
    –10–
    1
    –2 –3 –5 –7
    –10
    0
    –2 –3 –5 –7 –
    10
    1
    –2 –3 –5 –7 –
    10
    2
    漏电流I
    D
    (A)
    1999年8月
    栅极 - 源极电压V
    GS
    (V)

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6