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    FY4AEJ-03 参数 Datasheet PDF下载

    FY4AEJ-03图片预览
    型号： FY4AEJ-03
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速开关使用N沟道/ P沟道功率MOSFET [HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch/Pch POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 114 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第9页  
    三菱功率MOSFET
    .
    ATION
    NGE 。
    pecific要查
    INAL SE主题
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    不限制AR
    这
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    一些
    P
    AR
    IMIN
    REL
    Y
    FY4AEJ-03
    高速开关使用
    N沟道/ P沟道功率MOSFET
    漏源通态电阻R
    DS （ ON）
    （T ° C）
    漏源通态电阻R
    DS （ ON）
    (25°C)
    通态电阻VS.
    通道温度
    （典型值）
    10
    1
    4.0
    7
    5
    3
    2
    阈值电压 -
    通道温度
    （典型值）
    门极 - 源
    电压V
    GS （ TH）
    (V)
    3.2
    2.4
    V
    DS
    = 10V
    I
    D
    = 1毫安
    脉冲测试
    10
    0
    7
    5
    3
    2
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 4A
    脉冲测试
    1.6
    0.8
    10
    –1
    –50
    0
    50
    100
    150
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    沟道温度Tch （ ° C）
    沟道温度Tch （ ° C）
    漏源击穿电压V
    （ BR ） DSS
    （T ° C）
    漏源击穿电压V
    （ BR ） DSS
    (25°C)
    瞬态热阻抗Z
    第（章-a）的
    （ ° C / W）
    击穿电压VS.
    通道温度
    （典型值）
    1.4
    瞬态热阻抗
    特征
    10
    2
    7
    5
    3
    2
    D = 1.0
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P
    DM
    tw
    T
    D
    =
    tw
    T
    1.2
    10
    1
    7
    5
    3
    2
    1.0
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 1毫安
    脉冲测试
    0.8
    10
    0
    7
    5
    3
    2
    0.6
    0.4
    –50
    0
    50
    100
    150
    10
    –1 –4
    10
    2 3 5 7
    10
    –3
    2 3 5 7
    10
    –2
    2 3 57
    10
    –1
    2 3 5 7
    10
    0
    2 3 5 7
    10
    1
    2 3 5 7
    10
    2
    2 3 5 7
    10
    3
    脉冲宽度tw （多个）
    沟道温度Tch （ ° C）
    1999年8月

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