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    FY4AEJ-03 参数 Datasheet PDF下载

    FY4AEJ-03图片预览
    型号： FY4AEJ-03
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速开关使用N沟道/ P沟道功率MOSFET [HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch/Pch POWER MOSFET]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 114 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FY4AEJ-03的Datasheet PDF文件第9页  
    三菱功率MOSFET
    .
    ATION
    NGE 。
    pecific要查
    INAL SE主题
    af
    不限制AR
    这
    otice ：参
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    一些
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    AR
    IMIN
    REL
    Y
    FY4AEJ-03
    高速开关使用
    N沟道/ P沟道功率MOSFET
    电气特性
    （总胆固醇= 25 ℃）下
    N沟道
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    r
    DS （ ON）
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    R
    第（章-a）的
    t
    rr
    参数
    漏源击穿电压
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    测试条件
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = 0V
    范围
    分钟。
    30
    —
    —
    1.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    V
    DD
    = 15V ，我
    D
    = 2A ，V
    GS
    = 10V ，R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值。
    —
    —
    —
    1.5
    23
    40
    8
    550
    220
    115
    12
    20
    40
    40
    0.75
    —
    100
    马克斯。
    —
    ±0.1
    0.1
    2.0
    30
    55
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    1.10
    78.1
    —
    单位
    V
    µA
    mA
    V
    mΩ
    mΩ
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ° C / W
    ns
    栅源阈值电压I
    D
    = 1mA时， V
    DS
    = 10V
    漏极 - 源极导通电阻我
    D
    = 4A ，V
    GS
    = 10V
    漏极 - 源极导通电阻我
    D
    = 2A ，V
    GS
    = 4V
    正向转移导纳
    I
    D
    = 4A ，V
    DS
    = 10V
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    源 - 漏电压
    热阻
    反向恢复时间
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    I
    S
    = 1.7A ，V
    GS
    = 0V
    渠道ambiet
    I
    S
    = 1.7A ，D
    is
    /d
    t
    = -50A /微秒
    P沟道
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    r
    DS （ ON）
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    R
    第（章-a）的
    t
    rr
    参数
    漏源击穿电压I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0V
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    门源阈值电压
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = –30V, V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = -1mA ，V
    DS
    = –10V
    测试条件
    范围
    分钟。
    –30
    —
    —
    –1.5
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    V
    DD
    = -15V ，我
    D
    = -2A ，V
    GS
    = ± 10V ，R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值。
    —
    —
    —
    –2.0
    60
    115
    6
    680
    180
    90
    10
    15
    50
    30
    –0.88
    —
    70
    马克斯。
    —
    ±0.1
    –0.1
    –2.5
    80
    180
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    –1.20
    78.1
    —
    单位
    V
    µA
    mA
    V
    mΩ
    mΩ
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ° C / W
    ns
    漏极 - 源极导通电阻我
    D
    = -4A ，V
    GS
    = –10V
    漏极 - 源极导通电阻我
    D
    = -2A ，V
    GS
    = –4V
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    源 - 漏电压
    热阻
    反向恢复时间
    I
    D
    = -4A ，V
    DS
    = –10V
    V
    DS
    = –10V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    I
    S
    = -1.7A ，V
    GS
    = 0V
    渠道ambiet
    I
    S
    = -1.7A ，D
    is
    /d
    t
    = 50A / μs的
    1999年8月

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