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FY4AEJ-03 参数 Datasheet PDF下载

FY4AEJ-03图片预览
型号: FY4AEJ-03
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内容描述: 高速开关使用N沟道/ P沟道功率MOSFET [HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch/Pch POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 114 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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三菱功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
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REL
Y
FY4AEJ-03
高速开关使用
N沟道/ P沟道功率MOSFET
性能曲线( N沟道)
功耗降额曲线
2.0
功耗P
D
(W)
最大安全工作区
5
3
2
TW = 10微秒
100µs
1ms
10ms
100ms
T
C
= 25°C
单脉冲
漏电流I
D
(A)
1.6
10
1
7
5
3
2
1.2
10
0
0.8
7
5
3
2
7
5
3
0.4
10
–1
DC
2 3
5 7
10
0
2 3
5 7
10
1
2 3
5
0
0
50
100
150
200
案例温度T
C
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
20
V
GS
=10V,8V,6V,5V
4V
输出特性
(典型值)
10
V
GS
= 10V,8V,6V,5V
4V
漏电流I
D
(A)
12
TC = 25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
16
8
6
3V
8
3V
P
D
= 1.6W
4
P
D
= 1.6W
4
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
1.0
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
(mΩ)
TC = 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
100
TC = 25°C
脉冲测试
0.8
80
0.6
60
V
GS
= 4V
0.4
I
D
= 8A
4A
40
10V
0.2
2A
20
0
0
2
4
6
8
10
0
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
漏电流I
D
(A)
1999年8月
栅极 - 源极电压V
GS
(V)