三菱功率MOSFET
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一些
FY4AEJ-03
高速开关使用
N沟道/ P沟道功率MOSFET
FY4AEJ-03
外形绘图
尺寸（mm）
6.0
4.4
5.0
1.8 MAX 。
0.4
1.27
来源
门
漏
q
q
q
q
4V DRIVE
V
DSS ................................................. ..............................
±30V
r
DS （ ON） （ MAX ） ........................................... .............
30/80mΩ
I
D .........................................................................................
±4A
SOP-8
应用
电机控制，灯控制，电磁阀控制，
DC -DC转换器，锂ionbattery ，笔记本电脑P / C等
最大额定值
（ TC = 25 ° C）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
I
SM
P
D
T
ch
T
英镑
—
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流（脉冲）
雪崩电流（脉冲）
源出电流
源电流（脉冲）
最大功率耗散
通道温度
储存温度
重量
典型的价值
L = 10μH
V
GS
= 0V
V
DS
= 0V
条件
评级
N沟道
30
±20
4
28
4
1.7
6.8
1.6
–55~+150
–55~+150
0.07
P沟道
–30
±20
–4
–28
–4
–1.7
–6.8
1.6
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
g
1999年8月
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
