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FY4AEJ-03 参数 Datasheet PDF下载

FY4AEJ-03图片预览
型号: FY4AEJ-03
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内容描述: 高速开关使用N沟道/ P沟道功率MOSFET [HIGH-SPEED SWITCHING USE Nch/Pch POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 114 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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三菱功率MOSFET
.
ATION
NGE 。
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N
一些
P
AR
IMIN
REL
Y
FY4AEJ-03
高速开关使用
N沟道/ P沟道功率MOSFET
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
10
2
7
5
传输特性
(典型值)
20
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
16
3
2
12
TC = 25°C
V
DS
= 10V
脉冲测试
10
1
7
5
3
2
T
C
= 25°C,75°C,125°C
V
DS
=10V
脉冲测试
8
4
0
0
2
4
6
8
10
10
0 0
10
2
3
5 7
10
1
2
3
5 7
10
2
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
(典型值)
2
开关特性
(典型值)
2
10
3
10
2
西塞
t
f
t
D(关闭)
t
r
电容
西塞,科斯,的Crss (PF )
7
5
3
2
切换时间(纳秒)
7
5
3
2
科斯
10
1
7
5
3
2
t
D(上)
10
2
7
5
3
2
CRSS
TCH = 25°C
V
GS
= 0V
F = 1MH
Z
2 3
5 7
10
0
2 3
5 7
10
1
2
10
–1
10
0
10
–1
TCH = 25°C
V
GS
= 10V
V
DD
= 15V
R
= R
GS
= 50Ω
2
3
5 7
10
0
2
3
5 7
10
1
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
10
20
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
8
V
DS
=
15V
源电流我
S
(A)
16
T
C
=
125°C
75°C
25°C
6
12
4
20V
25V
8
2
TCH = 25°C
I
D
=4A
4
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
1999年8月