3SK298 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3SK298
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内容描述：	硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
文件页数/大小：	9 页 / 191 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

3SK298

S11参数与频率的关系

.6 .8 1.0 1.5 2

3 45

–10

–.2

–5

–4

–3

–.4

–.6

–.8

–1.5

–2

–120°

–90°

–60°

–1

180°

0°

150°

30°

1.5

S21参数与频率的关系

90°

120°

规模： 0.5 / DIV 。

60°

–150°

–30°

条件： V

= 6 V , V

G2S

= 3 V

= 10 mA时，莫宁= 50Ω

50至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）

条件： V

= 6 V , V

G2S

= 3 V

= 10 mA时，莫宁= 50Ω

50至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）

S12参数与频率的关系

90°

120°

S22参数与频率的关系

1.5

规模： 0.002 / DIV 。

60°

150°

30°

180°

0°

.6 .8 1.0 1.5 2

3 45

–10

–.2

–150°

–30°

–.4

–120°

–90°

–60°

–.6

–.8

–1.5

–2

–1

–5

–4

–3

条件： V

= 6 V , V

G2S

= 3 V

= 10 mA时，莫宁= 50Ω

50至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）

条件： V

= 6 V , V

G2S

= 3 V

= 10 mA时，莫宁= 50Ω

50至1000 MHz （ 50 MHz的步骤）

Rev.3.00 2005年8月10日第6 8

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