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    3SK298 参数 Datasheet PDF下载

    3SK298图片预览
    型号： 3SK298
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    内容描述： 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
    文件页数/大小： 9 页 / 191 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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    3SK298
    硅N沟道双栅MOS FET
    REJ03G0817-0300
    （上ADE- 208-390A ）
    Rev.3.00
    Aug.10.2005
    应用
    超高频/甚高频射频放大器
    特点
    •
    低噪声系数。
    NF = 1.0 dB典型值。在f = 200 MHz的
    •
    能够低电压操作
    概要
    瑞萨封装代码： PTSP0004ZA -A
    （包名称： CMPAK - 4 ）
    2
    3
    4
    1
    1.源
    2. GATE1
    3. GATE2
    4.漏
    注意：
    标记为“ ZP- ”
    注意事项：
    这个装置是非常敏感的静电放电。
    建议处理该晶体管时采取适当的注意事项。
    Rev.3.00 2005年8月10日第1页8

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