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3SK298 参数 Datasheet PDF下载

3SK298图片预览
型号: 3SK298
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内容描述: 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 9 页 / 191 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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3SK298
噪声系数与漏源极电压
5
NF( dB)的
噪声系数
4
3
2
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
2
4
6
8
10
1
0
漏源极电压
V
DS
(V)
Rev.3.00 2005年8月10日第5页8