3SK298 参数 Datasheet PDF下载

型号：	3SK298
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内容描述：	硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
文件页数/大小：	9 页 / 191 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

3SK298

最大信道功率

耗散曲线

P沟（ mW）的

200

G2S

= 3 V

1.4 V

脉冲测试

典型的输出特性

（MA ）

1.2 V

150

信道功率耗散

1.0 V

漏电流

100

0.8 V

0.6 V

G1S

= 0.4 V

100

150

200

环境温度

的Ta （℃）

漏极至源极电压V

(V)

漏电流与GATE1源电压

3.0 V

2.0 V

1.5 V

= 6 V

漏电流与GATE2源电压

3.0 V

= 6 V

2.0 V

2.5 V

1.5 V

1.0 V

脉冲测试

（MA ）

2.5 V

（MA ）

漏电流

脉冲测试

1.0 V

漏电流

G2S

= 0.5 V

G1S

= 0.5 V

GATE1至源极电压

G1S

(V)

GATE2至源极电压

G2S

(V)

（女士）

正向转移导纳主场迎战

GATE1至源极电压

= 6 V

F = 1千赫

G2S

= 3.0 V

2.5 V

2.0 V

1.5 V

1.0 V

0.5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

功率增益与漏电流

（ dB）的

功率增益

正向转移导纳

= 6 V

G2S

= 3 V

F = 200 MHz的

GATE1至源极电压

G1S

(V)

漏电流

（MA ）

Rev.3.00 2005年8月10日第3页8

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