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3SK298 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 3SK298
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内容描述: 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 9 页 / 191 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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3SK298
噪声系数与漏电流
3.0
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 200 MHz的
功率增益与漏源极电压
30
NF( dB)的
PG( dB)的
功率增益
2.4
24
噪声系数
1.8
18
1.2
12
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 200 MHz的
2
4
6
8
10
0.6
0
1
6
2
5
10
20
0
漏电流
I
D
(MA )
漏源极电压
V
DS
(V)
噪声系数与漏源极电压
2.0
20
功率增益与漏电流
NF( dB)的
PG( dB)的
功率增益
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 200 MHz的
2
4
6
8
10
1.6
16
1.2
12
噪声系数
0.8
8
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 900兆赫
2
5
10
20
0.4
4
0
1
0
漏源极电压
V
DS
(V)
漏电流
I
D
(MA )
噪声系数与漏电流
10
V
DS
= 6 V
V
G2S
= 3 V
F = 900兆赫
功率增益与漏源极电压
20
8
PG( dB)的
功率增益
NF( dB)的
16
6
12
噪声系数
4
8
V
G2S
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 900兆赫
2
4
6
8
10
2
0
1
4
2
5
10
20
0
漏电流
I
D
(MA )
漏源极电压
V
DS
(V)
Rev.3.00 2005年8月10日第4页8