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    3SK298 参数 Datasheet PDF下载

    3SK298图片预览
    型号： 3SK298
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
    文件页数/大小： 9 页 / 191 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第1页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第3页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第4页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第5页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第6页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第7页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第8页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第9页  
    3SK298
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    1号门至源极电压
    2号门至源极电压
    漏电流
    信道功率耗散
    通道温度
    储存温度
    符号
    V
    DS
    V
    G1S
    V
    G2S
    I
    D
    PCH
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    12
    ±8
    ±8
    25
    100
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    1号门至源极击穿电压
    2号门至源极击穿电压
    1号门切断电流
    2号门切断电流
    漏电流
    1号门源截止电压
    2门源截止电压
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    功率增益
    噪声系数
    功率增益
    噪声系数
    噪声系数
    符号
    V
    （ BR ） DSX
    V
    (BR)G1SS
    V
    （ BR ） G2SS
    I
    G1SS
    I
    G2SS
    I
    DS （ ON）
    V
    G1S(off)
    V
    G2S(off)
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    PG
    NF
    PG
    NF
    NF
    民
    12
    ±8
    ±8
    —
    —
    0.5
    0
    0
    16
    2.4
    0.8
    —
    22
    —
    12
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    20
    2.9
    1.0
    0.023
    25
    1.0
    15
    3.2
    2.8
    最大
    —
    —
    —
    ±100
    ±100
    10
    +1.0
    +1.0
    —
    3.4
    1.4
    0.04
    —
    1.8
    —
    4.5
    3.5
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    mA
    V
    V
    mS
    pF
    pF
    pF
    dB
    dB
    dB
    dB
    dB
    测试条件
    I
    D
    = 200
    µA
    , V
    G1S
    = –3 V,
    V
    G2S
    = –3 V
    I
    G1
    = ±10
    µA,
    V
    G2S
    = V
    DS
    = 0
    I
    G2
    = ±10
    µA,
    V
    G1S
    = V
    DS
    = 0
    V
    G1S
    = ±6 V, V
    G2S
    = V
    DS
    = 0
    V
    G2S
    = ±6 V, V
    G1S
    = V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 6 V, V
    G1S
    = 0.75 V,
    V
    G2S
    = 3 V
    V
    DS
    = 10 V, V
    G2S
    = 3 V,
    I
    D
    = 100
    µA
    V
    DS
    = 10 V, V
    G1S
    = 3 V,
    I
    D
    = 100 µA
    V
    DS
    = 6 V, V
    G2S
    = 3 V,
    I
    D
    = 10 mA时， F = 1千赫
    V
    DS
    = 6 V, V
    G2S
    = 3 V,
    I
    D
    = 10 mA时， F = 1兆赫
    V
    DS
    = 6 V, V
    G2S
    = 3 V,
    I
    D
    = 10 mA时， F = 200 MHz的
    V
    DS
    = 6 V, V
    G2S
    = 3 V,
    I
    D
    = 10 mA时， F = 900兆赫
    V
    DS
    = 6 V, V
    G2S
    = 3 V,
    I
    D
    = 10 mA时， F = 60 MHz的
    Rev.3.00 2005年8月10日第2页8

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