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    HD6417750SBP200 参数 Datasheet PDF下载

    HD6417750SBP200图片预览
    型号： HD6417750SBP200
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的SuperH RISC引擎 [SuperH RISC engine]
    分类和应用： 外围集成电路时钟
    文件页数/大小： 1039 页 / 6201 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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    Basic Timing: The basic timing for DRAM access is 4 cycles. This basic timing is shown in  
    figure 13.17. Tpc is the precharge cycle, Tr the 5$6 assert cycle, Tc1 the &$6 assert cycle, and  
    Tc2 the read data latch cycle.  
    Tr1  
    Tr2  
    Tc1  
    Tc2  
    Tpc  
    CKIO  
    A25–A0  
    Row  
    Column  
    RD/  
    D63–D0  
    (read)  
    D63–D0  
    (write)  
    DACKn  
    (SA: IO ← memory)  
    DACKn  
    (SA: IO → memory)  
    Note: For DACKn, an example is shown where CHCRn.AL (access level) = 0 for the DMAC.  
    Figure 13.17 Basic DRAM Access Timing  
    Rev. 6.0, 07/02, page 400 of 986  

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