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HYB25DC512160DE-5A 参数 Datasheet PDF下载

HYB25DC512160DE-5A图片预览
型号: HYB25DC512160DE-5A
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 38 页 / 2394 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HY[B/I]25DC512[80/16]0D[E/F](L)  
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
TABLE 21  
AC Operating Conditions  
Parameter  
Symbol  
Values  
Max.  
Unit Note/ Test  
Condition  
Min.  
1)2)3)  
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM Signals VIH.AC  
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM Signals VIL.AC  
V
REF + 0.31  
V
1)2)3)  
0.7  
V
V
REF – 0.31  
DDQ + 0.6  
V
1)2)3)4)  
Input Differential Voltage, CK and CK Inputs  
Input Closing Point Voltage, CK and CK Inputs  
VID.AC  
VIX.AC  
V
1)2)3)5)  
0.5 × VDDQ– 0.2 0.5 × VDDQ+ 0.2  
V
1) 0 °C TA 70 °C; VDD = VDDQ = 2.5 V ± 0.2 V, VDD = VDDQ = 2.6 V ± 0.1 V (DDR500)  
2) Input slew rate = 1 V/ns.  
3) Inputs are not recognized as valid until VREF stabilizes.  
4) VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input level on CK.  
5) The value of VIX is expected to equal 0.5 × VDDQ of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.  
TABLE 22  
AC Timing - Absolute Specifications  
Parameter  
Symbol –4  
DDR500B  
–5/ –5A  
–6  
Unit Note/ Test  
Condition 1)  
DDR400A/B  
DDR333B  
Min.  
Max.  
Min.  
Max. Min.  
Max.  
2)3)4)5)  
DQ output access time from tAC  
–0.7  
+0.7  
–0.7  
+0.7  
–0.7  
+0.7  
ns  
CK/CK  
2)3)4)5)  
CK high-level width  
Clock cycle time  
tCH  
tCK  
0.45  
0.55  
12  
0.45  
5
0.55  
12  
8
0.45  
0.55  
12  
tCK  
4
4
5
6
6
6
ns  
ns  
ns  
CL = 4.0 2)3)4)5)  
CL = 3.0 2)3)4)5)  
CL = 2.5 2)3)4)5)  
12  
5
12  
12  
6 for –5  
12  
12  
5 for –5A  
6
12  
7
12  
7.5  
12  
ns  
CL = 2.0 2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
CK low-level width  
tCL  
0.45  
0.55  
0.45  
0.55  
0.45  
0.55  
tCK  
tCK  
2)3)4)5)6)  
Auto precharge write recovery tDAL  
Min. : (tWR/tCK)+(tRP/tCK), Max. : —  
+ precharge time  
2)3)4)5)  
DQ and DM input hold time  
tDH  
0.35  
1.75  
0.4  
0.45  
1.75  
ns  
ns  
2)3)4)5)6)  
DQ and DM input pulse width tDIPW  
1.75  
(each input)  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
DQS output access time from tDQSCK  
CK/CK  
–0.6  
0.35  
+0.6  
–0.6  
0.35  
+0.6  
–0.6  
0.35  
+0.6  
ns  
DQS input low (high) pulse  
width (write cycle)  
tDQSL,H  
tDQSQ  
tDQSQ  
tCK  
DQS-DQ skew (DQS and  
associated DQ signals)  
+0.35  
+0.35  
+0.40  
+0.40  
+0.45 ns  
+0.40 ns  
TSOPII  
2)3)4)5)  
DQS-DQ skew (DQS and  
associated DQ signals)  
TFBGA  
2)3)4)5)  
Rev. 1.10, 2008-05  
27  
06212007-08MW-K87L  
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