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HYB25DC512160DE-5A 参数 Datasheet PDF下载

HYB25DC512160DE-5A图片预览
型号: HYB25DC512160DE-5A
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 38 页 / 2394 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HY[B/I]25DC512[80/16]0D[E/F](L)  
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
TABLE 24  
DD Specification  
I
Symbol  
–4  
–5A  
–5  
–6  
Unit  
Note1)  
DDR500B  
DDR400A  
DDR400B  
DDR333B  
IDD0  
IDD1  
64  
66  
71  
76  
1.1  
26  
17  
9
54  
56  
59  
64  
1.0  
22  
15  
8
54  
56  
59  
64  
1.0  
22  
15  
8
46  
48  
51  
55  
1.0  
20  
14  
8
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
×8 2)3)  
×16 3)  
×8 3)  
×16 3)  
3)  
IDD2P  
IDD2F  
IDD2Q  
IDD3P  
IDD3N  
3)  
3)  
3)  
30  
33  
68  
88  
67  
84  
144  
1.6  
1.4  
130  
155  
26  
29  
57  
73  
57  
70  
123  
1.5  
1.4  
166  
177  
26  
29  
57  
73  
57  
70  
123  
1.5  
1.4  
166  
177  
23  
26  
49  
63  
49  
61  
110  
1.5  
1.4  
139  
149  
×8 3)  
×16 3)  
×8 3)  
×16 3)  
×8 3)  
×16 3)  
IDD4R  
IDD4W  
3)  
IDD5  
IDD6  
IDD6L  
IDD7  
4)  
Low power 5)  
×8 3)  
×16 3)  
1) Test conditions : VDD = 2.7 V, TA = 10 °C.  
2) IDD specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 200 MHz.  
3) Input slew rate = 1 V/ns.  
4) Enables on-chip refresh and address counters.  
5) IDD6LMax = 2.5 mA.  
Rev. 1.10, 2008-05  
31  
06212007-08MW-K87L  
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