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HYB25D512160BE-5 参数 Datasheet PDF下载

HYB25D512160BE-5图片预览
型号: HYB25D512160BE-5
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 37 页 / 1337 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T](L)  
Double-Data-Rate SDRAM  
Parameter  
Symbol –5  
DDR400B  
–6  
Unit Note/ Test  
Condition 1)  
DDR333  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Address and control input setup tIS  
time  
0.6  
0.75  
ns  
ns  
ns  
tCK  
fast slew rate  
3)4)5)6)8)  
0.7  
–0.7  
2
0.8  
–0.70  
2
slow slew  
rate3)4)5)6)8)  
2)3)4)5)7)  
Data-out low-impedance time  
from CK/CK  
tLZ  
+0.70  
+0.70  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
Mode register set command cycle tMRD  
time  
DQ/DQS output hold time  
Data hold skew factor  
tQH  
t
HP tQHS  
t
HP tQHS  
ns  
ns  
tQHS  
+0.50  
+0.50  
TFBGA  
2)3)4)5)  
+0.50  
+0.55  
ns  
TSOPII  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
Active to Autoprecharge delay  
Active to Precharge command  
tRAP  
tRAS  
tRC  
tRCD  
40  
tRCD  
42  
ns  
70E+3  
70E+3 ns  
Active to Active/Auto-refresh  
command period  
55  
60  
ns  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)8)  
2)3)4)5)  
Active to Read or Write delay  
tRCD  
15  
65  
18  
72  
ns  
μs  
ns  
Average Periodic Refresh Interval tREFI  
7.8  
7.8  
Auto-refresh to Active/Auto-  
refresh command period  
tRFC  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
2)3)4)5)  
Precharge command period  
Read preamble  
tRP  
15  
18  
ns  
tCK  
tCK  
ns  
tRPRE  
tRPST  
tRRD  
0.9  
0.40  
10  
1.1  
0.60  
0.9  
0.40  
12  
1.1  
0.60  
Read postamble  
Active bank A to Active bank B  
command  
2)3)4)5)  
Write preamble  
tWPRE  
tWPRES  
tWPST  
tWR  
0.25  
0
0.25  
0
tCK  
ns  
tCK  
ns  
tCK  
2)3)4)5)10)  
2)3)4)5)11)  
2)3)4)5)  
Write preamble setup time  
Write postamble  
0.40  
15  
2
0.60  
0.40  
15  
0.60  
Write recovery time  
2)3)4)5)  
Internal write to read command  
delay  
tWTR  
1
2)3)4)5)  
Exit self-refresh to non-read  
command  
tXSNR  
75  
75  
ns  
2)3)4)5)12)  
Exit self-refresh to read command tXSRD  
200  
200  
tCK  
1) 0 °C TA 70 °C; VDDQ = 2.5 V ± 0.2 V, VDD = +2.5 V ± 0.2 V (DDR333); VDDQ = 2.6 V ± 0.1 V, VDD = +2.6 V ± 0.1 V (DDR400)  
2) Input slew rate 1 V/ns for DDR400, DDR333  
3) The CK/CK input reference level (for timing reference to CK/CK) is the point at which CK and CK cross: the input reference level for signals  
other than CK/CK, is VREF. CK/CK slew rate are 1.0 V/ns.  
4) Inputs are not recognized as valid until VREF stabilizes.  
5) The Output timing reference level, as measured at the timing reference point indicated in AC Characteristics (note 3) is VTT  
.
6) For each of the terms, if not already an integer, round to the next highest integer. tCK is equal to the actual system clock cycle time.  
Rev. 1.70, 2007-11  
27  
03062006-PFFJ-YJY2  
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