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    HYB18H512321AFL20 参数 Datasheet PDF下载

    HYB18H512321AFL20图片预览
    型号： HYB18H512321AFL20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 16MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA136]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
    文件页数/大小： 100 页 / 1884 K
    品牌： QIMONDA [ QIMONDA AG ]
     浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第42页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第43页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第44页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第45页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第47页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第48页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第49页浏览型号HYB18H512321AFL20的Datasheet PDF文件第50页  
    HYB18H512321AF  
    512-Mbit GDDR3  
    Functional Description  
    CLK#  
    CLK  
    tDQSS  
    tWPRE  
    nominal WDQS  
    tDQSH  
    tDQSL  
    tDQSH  
    tWPST  
    tDS tDH  
    tDS tDH  
    Preamble  
    Postamble  
    WDQS  
    DQ  
    tDIPW  
    D0  
    D1  
    D2  
    D3  
    tDS  
    tDH  
    DMx  
    tDIPW  
    Data masked  
    Data masked  
    min(tDQSS  
    )
    early WDQS  
    WDQS  
    max(tDQSS  
    )
    late WDQS  
    WDQS  
    Don't Care  
    DMx: Represents one DM line  
    Figure 27 Basic Write Burst / DM Timing  
    Note:WDQS can only transition when data is applied at the chip input and during pre- and postambles.  
    Data Sheet  
    46  
    Rev. 1.73, 2005-08  
    05122004-B1L1-JEN8  

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