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BLV25 参数 Datasheet PDF下载

BLV25图片预览
型号: BLV25
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内容描述: 甚高频功率晶体管 [VHF power transistor]
分类和应用: 晶体射频双极晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 87 K
品牌: NXP [ NXP ]
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Philips Semiconductors  
Product specification  
VHF power transistor  
BLV25  
MGP305  
MGP306  
3
20  
handbook, halfpage  
handbook, halfpage  
R , X  
L
L
()  
R
L
G
p
(dB)  
2
10  
1
X
L
0
20  
0
20  
70  
120  
70  
120  
f (MHz)  
f (MHz)  
Typical values; VCE = 28 V; PL = 175 W;  
Typical values; VCE = 28 V; PL = 175 W;  
Th = 25 °C; class-B operation.  
Th = 25 °C; class-B operation.  
Fig.13 Load impedance (series components).  
Fig.14 Power gain as a function of frequency.  
OPERATING NOTE for Figs 12, 13 and 14:  
Below 50 MHz a base-emitter resistor of 4,7 is  
recommended to avoid oscillation. This resistor must be  
effective for r.f. only.  
August 1986  
9
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