Philips Semiconductors
Product specification
2-input EXCLUSIVE-OR gate
74AHC1G86; 74AHCT1G86
DC CHARACTERISTICS
Family 74AHC1G
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
TEST CONDITIONS Tamb (°C)
−40 to +85
MIN. TYP. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX.
SYMBOL
PARAMETER
25
−40 to +125 UNIT
VCC
(V)
OTHER
VIH
HIGH-level input
voltage
2.0
1.5
2.1
3.85
−
−
−
1.5
2.1
3.85
−
−
1.5
2.1
3.85
−
−
V
V
V
V
V
V
V
3.0
5.5
2.0
3.0
5.5
2.0
−
−
−
−
−
−
−
−
VIL
LOW-level input
voltage
−
0.5
0.9
1.65
−
0.5
0.9
1.65
−
0.5
0.9
1.65
−
−
−
−
−
−
−
−
−
VOH
HIGH-level output VI = VIH or VIL;
1.9
2.0
1.9
1.9
voltage
IO = −50 µA
VI = VIH or VIL;
IO = −50 µA
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.9
4.4
2.58
3.94
−
3.0
4.5
−
−
2.9
4.4
2.48
3.8
−
−
2.9
4.4
2.40
3.70
−
−
V
VI = VIH or VIL;
IO = −50 µA
−
−
−
V
VI = VIH or VIL;
IO = −4.0 mA
−
−
−
V
VI = VIH or VIL;
IO = −8.0 mA
−
−
−
−
V
VOL
LOW-level output VI = VIH or VIL;
0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
1.0
10
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
1.0
10
10
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
2.0
40
10
V
voltage
IO = 50 µA
VI = VIH or VIL;
IO = 50 µA
−
0
−
−
V
VI = VIH or VIL;
IO = 50 µA
−
0
−
−
V
VI = VIH or VIL;
IO = 4.0 mA
−
−
−
−
V
VI = VIH or VIL;
IO = 8.0 mA
−
−
−
−
V
ILI
input leakage
current
VI = VCC or GND 5.5
−
−
−
−
µA
µA
pF
ICC
CI
quiescent supply VI = VCC or GND; 5.5
−
−
−
−
current
IO = 0
input capacitance
−
1.5
−
−
2002 Jun 06
5
NXP [ NXP ]
