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CM100MXUBP-13T1 参数 Datasheet PDF下载

CM100MXUBP-13T1图片预览
型号: CM100MXUBP-13T1
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor,]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 1993 K
品牌: MITSUBISHI [ Mitsubishi Group ]
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<IGBT Modules>  
CM100MXUB-13T1/CM100MXUBP-13T1  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
TEST CIRCUIT  
25,26  
25,26  
25,26  
25,26  
IF  
VGE=15 V  
VGE=15 V  
VGE=15 V  
IC  
IC  
IC  
7
10  
15  
8,9  
11,12  
13,14  
V
V
V
27  
8,9  
11,12  
23,24  
13,14  
23,24  
V
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
22  
20  
21  
20  
19  
20  
18  
20  
23,24  
23,24  
Brake DIODE  
TrUP  
TrVP  
TrWP  
25,26  
25,26  
25,26  
25,26  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
7
10  
11,12  
15  
13,14  
V
V
V
V
8,9  
8,9  
11,12  
23,24  
13,14  
23,24  
27  
VGE=15 V  
VGE=15 V  
VGE=15 V  
VGE=15 V  
IC  
IC  
IC  
IC  
21  
20  
19  
20  
18  
20  
22  
20  
23,24  
23,24  
TrUN  
TrVN  
TrWN  
Brake IGBT  
Gate-emitter GVP-V, GVN-E,  
short-circuited GWP-W, GWN-E  
GB-E  
Gate-emitter GUP-U, GUN-E,  
short-circuited GWP-W, GWN-E  
GB-E  
Gate-emitter GUP-U, GUN-E,  
short-circuited GVP-V, GVN-E  
GB-E  
Gate-emitter GUP-U, GUN-E,  
short-circuited GVP-V, GVN-E,  
GWP-W, GWN-E  
VCEsat /BRAKE DIODE VF characteristics test circuit  
28,29  
25,26  
25,26  
25,26  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
IF  
IE  
IE  
IE  
7
10  
15  
8,9  
11,12  
13,14  
V
V
V
1,2  
V
8,9  
11,12  
23,24  
13,14  
23,24  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
21  
19  
20  
18  
20  
30,31  
23,24  
25,26  
20  
DiUP  
DiVP  
DiWP  
25,26  
25,26  
28,29  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
7
10  
11,12  
15  
V
V
V
V
8,9  
13,14  
8,9  
11,12  
23,24  
13,14  
23,24  
1,2  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
G-E short-  
circuited  
IE  
IE  
IE  
IF  
21  
20  
19  
20  
18  
20  
23,24  
30,31  
DiUN  
DiVN  
DiWN  
CONVERTER DIODE (ex.phase-R)  
Gate-emitter GVP-V, GVN-E,  
short-circuited GWP-W, GWN-E  
GB-E  
Gate-emitter GUP-U, GUN-E,  
short-circuited GWP-W, GWN-E  
GB-E  
Gate-emitter GUP-U, GUN-E,  
short-circuited GVP-V, GVN-E  
GB-E  
VEC / CONVERTER DIODE VF characteristics test circuit  
Publication Date : June 2018  
CMH-11887  
10  
Ver.1.0