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CM100MXUBP-13T1 参数 Datasheet PDF下载

CM100MXUBP-13T1图片预览
型号: CM100MXUBP-13T1
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor,]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 1993 K
品牌: MITSUBISHI [ Mitsubishi Group ]
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<IGBT Modules>  
CM100MXUB-13T1/CM100MXUBP-13T1  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
PERFORMANCE CURVES  
INVERTER PART  
TURN-OFF SWITCHING SAFE OPERATIONG AREA  
(REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA)  
(MAXIMUM)  
SHORT-CIRCUIT SAFE OPERATING AREA  
(MAXIMUM)  
VCC450 V, RG=6.8~68 Ω, VGE=±15 V,  
-----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous)  
VCC400 V, RG=6.8~68 Ω, VGE=±15 V,  
- - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period)  
Tvj= 25 ~ 150 °C, tW8 μs, Non-Repetitive  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
Publication Date : June 2018  
CMH-11887  
14  
Ver.1.0