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CM100MXUBP-13T1 参数 Datasheet PDF下载

CM100MXUBP-13T1图片预览
型号: CM100MXUBP-13T1
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor,]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 1993 K
品牌: MITSUBISHI [ Mitsubishi Group ]
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<IGBT Modules>  
CM100MXUB-13T1/CM100MXUBP-13T1  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
PERFORMANCE CURVES  
INVERTER PART  
CAPACITANCE CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
FREE WHEELING DIODE  
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
VCC=300 V, RG=6.8 Ω, VGE=±15 V, INDUCTIVE LOAD  
G-E short-circuited, Tv j=25 °C  
---------------: Tj=150 °C, - - - - -: Tj =125 °C  
Ci es  
tr r  
Ir r  
Co es  
Cr es  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE (V)  
EMITTER CURRENT IE (A)  
GATE CHARGE CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE CHARACTERISTICS  
(MAXIMUM)  
Single pulse, TC=25 °C  
VCC=300 V, IC=100 A, Tv j=25 °C  
Rt h(j -c)Q =458 K/kW, Rt h(j- c) D=594 K/kW  
GATE CHARGE QG (nC)  
TIME (S)  
Publication Date : June 2018  
CMH-11887  
13  
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