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MT18HTF12872 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT18HTF12872
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内容描述: [DDR2 SDRAM Registered DIMM (RDIMM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 18 页 / 261 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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512MB, 1GB, 2GB (x72, ECC, SR) 240-Pin DDR2 SDRAM RDIMM  
Se ria l Pre se n ce -De t e ct  
Ta b le 19:  
Se ria l Pre se n ce -De t e ct Ma t rix  
512MB1  
1GB  
2GB  
Byt e  
De scrip t io n  
En t ry (Ve rsio n )  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
128  
80  
08  
08  
0D  
0B  
60  
48  
00  
05  
80  
08  
08  
0E  
0B  
60  
48  
00  
05  
80  
08  
08  
0E  
0B  
60  
48  
00  
05  
Number of SPD bytes used by Micron  
Total number of bytes in SPD device  
Fundamental memory type  
256  
DDR2 SDRAM  
13, 14  
Number of row addresses on SDRAM  
Number of column addresses on SDRAM  
DIMM height and module ranks  
Module data width  
10  
30mm, single rank  
72  
0
Reserved  
SSTL 1.8V  
Module voltage interface levels  
SDRAM cycle time, tCK  
(CL = MAX value, see byte 18)  
-80E  
-800  
-667  
-53E  
-40E  
3D  
50  
25  
25  
30  
3D  
50  
25  
25  
30  
3D  
50  
SDRAM access from clock,tAC  
(CL = MAX value, see byte 18)  
10  
11  
-80E/-800  
-667  
50  
60  
40  
45  
50  
60  
40  
45  
50  
60  
-53E  
-40E  
ECC  
ECC and parity  
02  
06  
02  
06  
02  
06  
Module configuration type  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
7.81µs/SELF  
82  
04  
04  
00  
0C  
04  
82  
04  
04  
00  
0C  
04  
82  
04  
04  
00  
0C  
08  
Refresh rate/type  
4
4
SDRAM device width (primary SDRAM)  
Error-checking SDRAM data width  
Reserved  
0
4, 8  
4 or 8  
Burst lengths supported  
Number of banks on SDRAM device  
CAS latencies supported  
-80E (5, 4)  
-800 (6, 5, 4)  
-667 (5, 4, 3)  
-53E/-40E (4, 3)  
30  
70  
38  
18  
30  
70  
38  
18  
18  
19  
20  
01  
01  
01  
01  
01  
01  
Module thickness  
DDR2 DIMM type  
Registered  
DIMM  
21  
22  
1 PLL, 2 Reg  
05  
05  
05  
SDRAM module attributes  
-80E/-800/-667  
-53E/-40E  
01  
03  
01  
03  
01  
SDRAM device attributes: weak driver  
(01), or weak driver and 50Ω ODT (03)  
SDRAM cycle time, tCK, MAX CL - 1  
23  
24  
-80E/-667  
-800  
-53E/-40E  
50  
3D  
30  
50  
3D  
30  
50  
t
-80E/-800  
-667  
50  
60  
40  
45  
50  
60  
40  
45  
50  
60  
SDRAM access from CK, AC, MAX CL - 1  
-53E  
-40E  
SDRAM cycle time, tCK, MAX CL - 2  
25  
26  
-80E/-800  
-667  
-53E/-40E  
00  
3D/00  
50  
00  
3D/00  
50  
00  
t
-80E/-800  
-667  
40/00  
45  
40/00  
45  
SDRAM access from CK, AC, MAX CL - 2  
-53E/-40E  
00  
00  
00  
PDF: 09005aef80e5e752/Source: 09005aef80e5e626  
HTF18C64_128_256x72.fm - Rev. E 3/07 EN  
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