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    GM72V66841CT 参数 Datasheet PDF下载

    GM72V66841CT图片预览
    型号： GM72V66841CT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2,097,152字×8位×4银行同步动态RAM [2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 57 页 / 591 K
    品牌： LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
     浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第20页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第21页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第22页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第23页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第25页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第26页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第27页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第28页  
    LG Semicon  
    GM72V66841CT/CLT  
    Burst stop command at burst write: The burst  
    stop command (BST command) is used to stop  
    data input during a full-page burst write. No data  
    is written in the same cycle as the BST  
    command, and in subsequent cycles.  
    In addition, the BST command is only valid  
    during full-page burst mode, and is invalid with  
    burst lengths of 1, 2, 4, and 8. And an interval of  
    t
    RWL is required between the last data-in and the  
    next Precharge command.  
    Burst Length = full page  
    CLK  
    PRE/PALL  
    BST  
    Command  
    in  
    in  
    DQ(output)  
    tRWL  
    lBSW = 0 cycle  
    23  

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