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    GM72V66841CT 参数 Datasheet PDF下载

    GM72V66841CT图片预览
    型号： GM72V66841CT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2,097,152字×8位×4银行同步动态RAM [2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 57 页 / 591 K
    品牌： LG [ LG SEMICON CO.,LTD. ]
     浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第18页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第19页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第20页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第21页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第23页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第24页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第25页浏览型号GM72V66841CT的Datasheet PDF文件第26页  
    LG Semicon  
    GM72V66841CT/CLT  
    Write with auto-Precharge: In this operation,  
    since Precharge is automatically performed after  
    completing burst write or single write  
    operation, a Precharge command need not be  
    executed after each write operation.  
    The command executed for the same bank after  
    the execution of this command must be the bank  
    active (ACTV) command. In addition, an interval  
    of lAPW is required between the final valid data  
    input and input of the next command.  
    a
    Burst Write (Burst Length = 4)  
    CLK  
    WRIT  
    in 0  
    ACTV  
    Command  
    DQ(input)  
    in 1  
    in 2  
    in 3  
    lAPW  
    Single Write  
    CLK  
    WRIT  
    ACTV  
    Command  
    DQ(input)  
    in  
    lAPW  
    21  

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