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AS7C33512NTD18A-100BI 参数 Datasheet PDF下载

AS7C33512NTD18A-100BI图片预览
型号: AS7C33512NTD18A-100BI
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内容描述: [ZBT SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 12 页 / 299 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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AS7C33512NTD16A  
AS7C33512NTD18A  
®
NOP, stall and deselect cycles  
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BURST  
DSEL  
WRITE BURST  
BURST  
D(A2Ý10) NOP  
D(A3)  
WRITE  
BURST  
Q(A1Ý10)  
STALL  
DSEL  
READ  
Q(A1)  
BURST  
Q(A1Ý01)  
ꢁꢕꢖꢖꢗꢘꢙ  
D(A2)  
NOP  
D(A2Ý01)  
Note: Ý = XOR when LBO = HIGH/No Connect; Ý = ADD when LBO = LOW.  
3/11/02; v.1.8H  
Alliance Semiconductor  
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