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    AS7C33512NTD18A-100BI 参数 Datasheet PDF下载

    AS7C33512NTD18A-100BI图片预览
    型号： AS7C33512NTD18A-100BI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [ZBT SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119]
    分类和应用： 静态存储器内存集成电路
    文件页数/大小： 12 页 / 299 K
    品牌： ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
     浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第10页浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第11页浏览型号AS7C33512NTD18A-100BI的Datasheet PDF文件第12页  
    AS7C33512NTD16A  
    AS7C33512NTD18A  
    ®
    NOP, stall and deselect cycles  
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    &%ꢕ'ꢂ(ꢕ*+(  
    BURST  
    DSEL  
    WRITE BURST  
    BURST  
    D(A2Ý10) NOP  
    D(A3)  
    WRITE  
    BURST  
    Q(A1Ý10)  
    STALL  
    DSEL  
    READ  
    Q(A1)  
    BURST  
    Q(A1Ý01)  
    ꢁꢕꢖꢖꢗꢘꢙ  
    D(A2)  
    NOP  
    D(A2Ý01)  
    Note: Ý = XOR when LBO = HIGH/No Connect; Ý = ADD when LBO = LOW.  
    3/11/02; v.1.8H  
    Alliance Semiconductor  
    9 of 12  

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