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AS7C33512NTD18A-100BI 参数 Datasheet PDF下载

AS7C33512NTD18A-100BI图片预览
型号: AS7C33512NTD18A-100BI
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内容描述: [ZBT SRAM, 512KX18, 12ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119]
分类和应用: 静态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 12 页 / 299 K
品牌: ISSI [ INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC ]
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AS7C33512NTD16A  
AS7C33512NTD18A  
®
Key to switching waveforms  
Rising input  
Falling input  
Undefined/don’t care  
Timing waveform of read/write cycle  
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&%ꢕ'ꢂ()ꢕ*+(  
BURST  
READ  
Q(A4Ý01)  
WRITE  
D(A1)  
WRITE  
D(A5)  
READ  
Q(A6) D(A7)  
WRITE  
READ  
Q(A3)  
DSEL  
BURST  
WRITE  
D(A2Ý01)  
WRITE  
D(A2)  
ꢁꢕꢖꢖꢗꢘꢙ  
READ  
Q(A4)  
Note: Ý = XOR when LBO = HIGH/No Connect; Ý = ADD when LBO = LOW.  
BW[a:b] is don’t care.  
3/11/02; v.1.8H  
Alliance Semiconductor  
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