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H27U4G8F2DTR-BC 参数 Datasheet PDF下载

H27U4G8F2DTR-BC图片预览
型号: H27U4G8F2DTR-BC
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内容描述: 4千兆( 512M ×8位)NAND闪存 [4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 62 页 / 1015 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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APCPCWM_4828539:WP_0000001WP_0000001  
1
H27(U_S)4G8_6F2D  
4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash  
Serial Access Cycle after Read (EDO Tꢂpe, CLE=L, WE=H, ALE=L)  
tCR  
CE  
RE  
tRC  
tCHZ  
tCOH  
tRP  
tREH  
tRHZ  
tREA  
tREA  
tRLOH  
tRHOH  
IOx  
R/B  
Dout  
Dout  
tRR  
NOTES: Transition is measured at ±±22mꢀ ꢁrom steadꢂ state ꢃoꢄtaꢅe ꢆitꢇ ꢄoadꢈ  
Tꢇis parameter is sampꢄed and not 122% testedꢈ  
tRLOH is ꢃaꢄid ꢆꢇen ꢁrequencꢂ is ꢇiꢅꢇer tꢇan 33MHzꢈ  
an 33MHzꢈ  
Status Read Cycle &
CLE  
t
CE  
CH  
t
WP  
WE  
t
CEA  
t
CHZ  
t
COH  
t
WHR  
RE  
t
DH  
t
RHZ  
t
REA  
t
DS  
t
IR  
t
RHOH  
IOx  
70h or 7Bh  
Status Output  
Figure 10: Status / EDC Read Cycle  
Rev 1.4 / OCT. 2010  
37  
B34416/177.179.157.84/2010-10-08 10:08  
*ba53f20d-240c*  
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