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3SK298 参数 Datasheet PDF下载

3SK298图片预览
型号: 3SK298
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内容描述: 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 11 页 / 57 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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3SK298  
Forward Transfer Admittance vs.  
Gate1 to Source Voltage  
Power Gain vs. Drain Current  
30  
24  
18  
12  
6
30  
24  
18  
12  
V
= 6 V  
DS  
f = 1 kHz  
V
= 3.0 V  
G2S  
2.5 V  
2.0 V  
1.5 V  
1.0 V  
0.5 V  
0.8  
Gate1 to source voltage V  
V
= 6 V  
DS  
6
0
V
G2S  
= 3 V  
f = 200 MHz  
0
2.0  
(V)  
20  
0.4  
1.2  
1.6  
1
2
5
10  
Drain current  
I
(mA)  
D
G1S  
Power Gain vs. Drain to Source Voltage  
Noise Figure vs. Drain Current  
3.0  
2.4  
1.8  
1.2  
30  
24  
18  
12  
6
V
= 6 V  
= 3 V  
DS  
V
G2S  
f = 200 MHz  
V
= 3 V  
G2S  
0.6  
0
I
= 10 mA  
D
f = 200 MHz  
0
20  
10  
1
2
5
10  
(mA)  
2
4
6 8  
Drain current  
I
Drain to source voltage  
V
DS  
(V)  
D
5