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    3SK298 参数 Datasheet PDF下载

    3SK298图片预览
    型号： 3SK298
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    内容描述： 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
    文件页数/大小： 11 页 / 57 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第1页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第2页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第3页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第5页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第6页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第7页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第8页浏览型号3SK298的Datasheet PDF文件第9页  
    3SK298  
    Maximum Channel Power  
    Dissipation Curve  
    Typical Output Characteristics  
    20  
    16  
    12  
    8
    200  
    150  
    100  
    50  
    Pulse test  
    1.4 V  
    V
    = 3 V  
    G2S  
    1.2 V  
    1.0 V  
    0.8 V  
    0.6 V  
    4
    V
    G1S  
    = 0.4 V  
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    0
    50  
    100  
    150  
    200  
    Drain to source voltage V (V)  
    DS  
    Ambient Temperature Ta (°C)  
    Drain Current vs. Gate2 to Source Voltage  
    Drain Current vs. Gate1 to Source Voltage  
    20  
    16  
    12  
    8
    20  
    16  
    12  
    8
    V
    = 6 V  
    V
    = 6 V  
    3.0 V  
    2.5 V  
    2.0 V  
    1.5 V  
    3.0 V  
    2.5 V  
    DS  
    DS  
    Pulse test  
    Pulse test  
    2.0 V  
    1.5 V  
    1.0 V  
    1.0 V  
    4
    4
    V
    = 0.5 V  
    3
    G1S  
    V
    = 0.5 V  
    G2S  
    0
    0
    1
    2
    4
    5
    1
    2
    3
    4
    5
    Gate2 to source voltage V  
    (V)  
    Gate1 to source voltage  
    V
    G1S  
    (V)  
    G2S  
    4

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