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    3SK298 参数 Datasheet PDF下载

    3SK298图片预览
    型号： 3SK298
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    内容描述： 硅N沟道双栅MOS FET [Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
    文件页数/大小： 11 页 / 57 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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    3SK298  
    Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
    Item  
    Symbol  
    VDS  
    Ratings  
    Unit  
    V
    Drain to source voltage  
    Gate 1 to source voltage  
    Gate 2 to source voltage  
    Drain current  
    12  
    VG1S  
    VG2S  
    ID  
    ±8  
    V
    ±8  
    V
    25  
    mA  
    mW  
    °C  
    °C  
    Channel power dissipation  
    Channel temperature  
    Storage temperature  
    Pch  
    Tch  
    100  
    150  
    Tstg  
    –55 to +150  
    Attention: This device is very sensitive to electro static discharge.  
    It is recommended to adopt appropriate cautions when handling this transistor.  
    2

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