IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
PSPICE模型电气
.SUBCKT IRF640N 2 1 3 ;
CA 12 8 3.6e - 9
CB 15 14 3.5E - 9
CIN 6 8 2E- 9
DBODY 7 5 DBODYMOD
DBREAK 5月11日DBREAKMOD
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 11 7 17 18 225
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTHRES 6 21 19 8 1
EVTEMP 20 6 18 22 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1E- 9
LGATE 1 9 5.78e - 9
LSOURCE 3 7 3.92e - 9
MMED 16 6 8 8 MMEDMOD
MSTRO 16 6 8 8 MSTROMOD
MWEAK 16 21 8 8 MWEAKMOD
RBREAK 17 18 RBREAKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDRAINMOD 83.5e - 3
RGATE 9 20 7.6E - 1
RLDRAIN 2 5 10
RLGATE 1 9 57.8
RLSOURCE 3 7 39.2
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1E- 6
RSLC2 5 50 1E3
RSOURCE 8 7 RSOURCEMOD 10E- 3
RVTHRES 22 8 RVTHRESMOD 1
RVTEMP 18 19 RVTEMPMOD 1
S1A
S1B
S2A
S2B
6 12 13 8 S1AMOD
13 12 13 8 S1BMOD
6 15 14 13 S2AMOD
13 15 14 13 S2BMOD
S1A
12
13
8
13
+
EGS
-
6
8
EDS
-
S2A
14
13
S2B
CB
+
5
8
8
22
RVTHRES
14
IT
-
VBAT
+
15
17
LGATE
门
1
RLGATE
CIN
LDRAIN
DPLCAP
10
RSLC1
51
ESLC
50
RLDRAIN
DBREAK
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
MMED
MSTRO
LSOURCE
8
RSOURCE
RLSOURCE
RBREAK
18
RVTEMP
19
7
来源
3
DBODY
5
漏
2
REV 2000年10月10日
RSLC2
5
51
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE +
18 -
22
9
20
6
8
EVTHRES
+ 19 -
8
6
-
S1B
CA
VBAT 22 19 DC 1
ESLC 51 50值= { （V （ 5,51 ） / ABS （ V（ 5,51 ） ） ）*（ PWR （V （ 5,51 ） / （ 1E - 6 * 38 ） ， 2.5 ） ） }
.MODEL DBODYMOD D（ IS = 1.2E - 12 RS = 5.5E - 3
XTI = 5.5 TRS1 =为1e- 5 TRS2 =器8e -6 + CJO = 12.5e -10 TT =为1e- 7 ，M = 0.42）
.MODEL DBREAKMOD D（ RS = 2.5 TRS1 = 1E - 3 TRS2 = -8.9e - 6 ）
.MODEL DPLCAPMOD D（ CJO = 2.5E - 9 = 1E - 30 ，N = 10 ，M = 0.9 ）
.MODEL MMEDMOD NMOS （ VTO = 3.14 KP = 5 = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U RG = 7.6E - 1 ）
.MODEL MSTROMOD NMOS （ VTO = 3.68 KP = 100 = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U）
.MODEL MWEAKMOD NMOS （ VTO = 2.76 KP = 0.05 IS = 1E - 30 ，N = 10 TOX = 1 L = 1U W = 1U RG = 7.6 RS = 0.1 ）
.MODEL RBREAKMOD RES （ TC1 = 1.52E - 3 TC2 = -2E- 7 ）
.MODEL RDRAINMOD RES （ TC1 = 9.8e - 3 TC2 = 2.6E - 5 ）
.MODEL RSLCMOD RES （ TC1 = 3E - 3 TC2 = 1E - 6 ）
.MODEL RSOURCEMOD RES （ TC1 = 1E - 3 TC2 = 1E - 6 ）
.MODEL RVTHRESMOD RES （ TC1 = -2.3e - 3 TC2 = -1.3e - 5 ）
.MODEL RVTEMPMOD RES （ TC1 = -2.8e - 3 TC2 = 1.7E - 6 ）
.MODEL S1AMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.MODEL S1BMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.MODEL S2AMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.MODEL S2BMOD VSWITCH （ RON = 1E- 5
.ENDS
注：对于PSPICE模型的进一步讨论，请参阅
一种新的PSPICE子电路的功率MOSFET拥有全球
温度选项;
IEEE电力电子专家会议记录， 1991年，写的威廉· J·赫普和弗兰克C.
惠特利。
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
ROFF = 0.1
VON = -8.5 VOFF = -1 ）
VON = -1 VOFF = -8.5 ）
VON = -0.1 VOFF = 0.2 ）
VON = 0.2 VOFF = -0.1 ）
©2002仙童半导体公司
+
RDRAIN
21
16
版本B
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
