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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: N沟道功率MOSFET 200V , 18A , 0.15ohm [N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 157 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
热敏电阻与贴装焊盘面积
最大额定结温度T
JM
的散热路径​​的热阻确定
所允许的最大功率耗散,磷
DM
一个应用程序。
因此,应用程序的环境
o
C)和热阻R
o
温度T
A
(
θJA
( C / W )
必须进行审查,以确保那件T
JM
永远不会超标。
式(1)数学上表示的关系,并
作为基础建立的部分的等级。
(
牛逼JM
T A
)
P DM
= ------------------------------
-
Z
θJA
80
R
θJA
= 26.51+ 19.84 / ( 0.262 +区)
60
R
θJA
(
o
C / W )
40
20
0.1
1
AREA , TOP铜面积(以)
2
(当量1)
在使用表面安装器件,如TO-263
包,在其所应用的环境将有
在佛罗里达州uence显着的上部分的电流和最大
功耗额定值。精确测定的P
DM
is
复杂且受很多因素的影响:
到其上的装置安装1.安装垫区和
是否存在铜在一侧或两侧
板。
2.铜层的数目和厚度
板。
3.使用外部散热器。
4.使用热过孔。
5.空气溢流和电路板的方向。
6.对于非稳定状态下的应用中,脉冲宽度,则
占空比和该部分的瞬态热响应,
董事会和他们所处的环境。
飞兆半导体提供热量信息,以协助
设计师的初步应用评价。图20
定义第r
θJA
该装置的顶部的功能
铜(元件面)的区域。这是为一水平
定位FR- 4板盎司镀铜千秒后
稳态电源,没有空气流动。此图提供
必要的信息的稳态计算
结温度或功耗。脉冲
应用程序可以使用飞兆半导体的设备进行评估
辣妹热模型或手动利用归
最大瞬态热阻抗曲线。
在曲线上显示为R
θJA
在列出的值
电气连接特定的阳离子表。该点被选择
描绘了铜的电路板面积之间的折衷,则
耐热性和最终的功耗
P
DM
.
对应于其他地区铜热电阻
可以从图20或通过计算来获得使用
公式2。R
θJA
被定义为面积的自然对数
次系数加到一常数。的区域中,在方
寸是在顶部铜区包括栅极和源
垫。
R
θJA
=
26.51 + -------------------------------------
10
图20.热电阻与安装
垫区
19.84
(
0.262 +
区域
)
(当量2)
©2002仙童半导体公司
版本B