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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: N沟道功率MOSFET 200V , 18A , 0.15ohm [N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 157 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
典型特征
1.2
20
功耗乘法器
1.0
15
0.8
I
D
,漏电流( A)
0
25
50
75
100
125
o
0.6
10
0.4
5
0.2
0
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( C)
T
C
,外壳温度(
o
C)
图1.归功耗与
环境温度
2
1
热阻抗
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
P
DM
0.1
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图3.归一化最大瞬态热阻抗
300
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
I
DM
峰值电流( A)
100
I = I
25
V
GS
= 10V
175 - T
C
150
可能限流
在这个区域
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T,脉冲宽度( S)
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
©2002仙童半导体公司
版本B