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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: N沟道功率MOSFET 200V , 18A , 0.15ohm [N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 157 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
测试电路和波形
(续)
V
DS
R
L
V
DD
V
DS
Q
G( TOT )
V
GS
= 20V
V
GS
Q
g(10)
V
DD
-
DUT
I
G( REF )
0
V
GS
V
GS
= 2V
Q
G( TH )
Q
gs
I
G( REF )
0
Q
gd
V
GS
= 10V
+
图16.栅极电荷测试电路
图17.门充电波形
V
DS
t
ON
t
D(上)
R
L
V
DS
90%
t
r
t
关闭
t
D(关闭)
t
f
90%
V
GS
+
V
DD
-
DUT
0
10%
10%
90%
V
GS
50%
脉冲宽度
50%
R
GS
V
GS
0
10%
图18.开关时间测试电路
图19.开关时间波形
©2002仙童半导体公司
版本B