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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: N沟道功率MOSFET 200V , 18A , 0.15ohm [N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 157 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
典型特征
(续)
1.3
I
D
= 250µA
归一漏极至源极
击穿电压
1.2
1000
10000
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
1.1
C,电容(pF )
1.0
C
OSS
C
DS
+ C
GD
100
0.9
C
RSS
= C
GD
0.8
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
,结温(
o
C)
10
0.1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100 200
图11.归漏极至源极
击穿电压VS结温
10
V
DD
= 100V
V
GS
,门源电压( V)
8
图12.电容VS漏极至源极
电压
6
4
任意波形
降序排列:
2
I
D
= 22A
I
D
= 5A
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
,栅极电荷( NC)
图13.栅极电荷波形恒定电流门
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
DUT
t
P
0V
R
G
-
BV
DSS
V
DS
V
DD
+
V
DD
I
AS
0.01Ω
0
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
©2002仙童半导体公司
版本B