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    IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

    IRF640N图片预览
    型号： IRF640N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道功率MOSFET 200V ， 18A ， 0.15ohm [N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 11 页 / 157 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF640N的Datasheet PDF文件第9页  
    IRF640N/IRF640NS/IRF640NL
    典型特征
    （续）
    200
    100
    I
    AS
    ，雪崩电流（ A）
    100µs
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    100
    1ms
    10
    10ms
    起始物为
    J
    = 150
    o
    C
    10
    起始物为
    J
    = 25
    o
    C
    1
    操作在此
    区域可以
    限于由R
    DS （ ON）
    0.1
    1
    10
    100
    300
    单脉冲
    T
    J
    =最大额定
    T
    C
    = 25
    o
    C
    如果R = 0
    t
    AV
    = （L）（我
    AS
    ） / （ 1.3 *额定BV
    DSS
    - V
    DD
    )
    若R
    ≠
    0
    t
    AV
    = （ L / R） LN [（我
    AS
    * R ） / （ 1.3 *额定BV
    DSS
    - V
    DD
    ) +1]
    1
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    t
    AV
    ，一次雪崩（毫秒）
    图5.正向偏置安全工作区
    图6.松开电感式开关
    能力
    40
    40
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    V
    DD
    = 15V
    I
    D,
    漏电流（ A）
    30
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    GS
    = 10V
    V
    GS
    = 5V
    30
    V
    GS
    =4.5V
    20
    20
    T
    J
    = -55
    o
    C
    T
    J
    = 175
    o
    C
    10
    10
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    T
    C
    = 25
    o
    C
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    T
    J
    = 25
    o
    C
    0
    2
    4
    5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    3
    6
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.转移Charicteristics
    3.5
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 22A
    0
    -80
    -40
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    脉冲持续时间为80μs =
    占空比= 0.5 ％ MAX
    图8.饱和Charactoristics
    1.2
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 250µA
    归一漏极至源极
    抗性
    归一化门
    阈值电压
    1.0
    0.8
    0.6
    -80
    -40
    0
    40
    80
    120
    160
    200
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    图9.归一漏极至源极ON
    电阻与结温
    图10.归一化栅极阈值电压Vs
    结温
    ©2002仙童半导体公司
    版本B

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