欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    FDS8960C 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8960C图片预览
    型号： FDS8960C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道PowerTrench MOSFET [Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 175 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8960C的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征： Q2 （P沟道）
    10
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    800
    I
    D
    = -5A
    8
    V
    DS
    = -10V
    -15V
    -20V
    电容（pF）
    700
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    C
    国际空间站
    600
    500
    400
    300
    6
    4
    C
    OSS
    200
    100
    2
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图17.栅极电荷特性。
    100
    P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
    图18.电容特性。
    50
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    R
    DS （ ON）
    极限
    10
    10ms
    100ms
    1
    DC
    0.1
    V
    GS
    = -10V
    单脉冲
    o
    R
    θ
    JA
    = 135℃ / W
    T
    A
    = 25 C
    0.01
    0.1
    1
    10
    o
    100
    µ
    s
    1ms
    40
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    30
    1s
    10s
    20
    10
    100
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，时间（秒）
    10
    100
    1000
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图19.最大安全工作区。
    图20.单脉冲最大
    功耗。
    R（T ） ，规范有效
    瞬态热阻
    1
    D = 0.5
    0.2
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 135℃ / W
    P（ PK）
    0.02
    0.01
    o
    0.1
    0.1
    0.05
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.01
    单脉冲
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    1000
    图21.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDS8960C版本C （ W）
    www.fairchildsemi.com

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 0755-32882615 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6