FDS8960C双N & P沟道PowerTrench
®
MOSFET
2005年8月
FDS8960C
双N & P沟道PowerTrench
®
MOSFET
概述
这些双N和P沟道增强型
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进
已特别针对减少流程
通态ressitance ，但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电应用的低线供电
损耗和快速开关是必需的。
•
•
特点
•
Q1:
N沟道
R
DS （ ON）
= 0.024Ω @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
= 0.032Ω @ V
GS
= 4.5V
•
Q2:
P沟道
R
DS （ ON）
= 0.053Ω @ V
GS
= –10V
R
DS （ ON）
= 0.087Ω @ V
GS
= –4.5V
开关速度快
符合RoHS
7.0A ， 35V
-5A ， -35V
D1
D
D1
D
D
D2
D2
D
5
6
7
Q2
4
3
Q1
2
1
SO-8
销1
SO-8
G2
S2
G
G1
S
S1
S
8
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q1
35
（注1A ）
Q2
–35
±25
–5
–20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
±20
7
20
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
° C / W
° C / W
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8960C
设备
FDS8960C
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS8960C版本C （ W）
www.fairchildsemi.com
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
